Detail publikace
Stabilita vodíkem pasivovaného povrchu Si(111) za atmosférických podmínek
KOLÍBAL, M. ČECHAL, J. BARTOŠÍK, M. MACH, J. ŠIKOLA, T.
Český název
Stabilita vodíkem pasivovaného povrchu Si(111) za atmosférických podmínek
Anglický název
Stability of hydrogen-terminated silicon surface under ambient atmosphere
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
en
Originální abstrakt
In this paper a comparative study of different wet-chemical etching procedures of vicinal Si(1 1 1) surface passivation is presented. The stability against oxidation under ambient atmosphere was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy. The best results were achieved by the buffered HF etching and the final smoothing of the surface by hot (72 C) NH4F. The procedures consisting of a large number of etching steps were unsatisfactory, since the probability of contamination during each step was increasing. The passivated surface was stable against oxidation for at least 3 h under ambient atmosphere.
Český abstrakt
V článku je prezentována komparativní studie různých metod přípravy pasivovaného povrchu Si (111) s ohledem na stabilitu a odolnost proti oxidaci za atmosférických podmínek. Nejlepších výsledků bylo dosaženo předleptáním vzorku ve směsi HF a NH4F a následném krátkém leptání v horkém (72 C) 40% roztoku NH4F. Takto připravený povrch je odolný proti oxidaci po dobu nejméně 3 hodin.
Anglický abstrakt
In this paper a comparative study of different wet-chemical etching procedures of vicinal Si(1 1 1) surface passivation is presented. The stability against oxidation under ambient atmosphere was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy. The best results were achieved by the buffered HF etching and the final smoothing of the surface by hot (72 C) NH4F. The procedures consisting of a large number of etching steps were unsatisfactory, since the probability of contamination during each step was increasing. The passivated surface was stable against oxidation for at least 3 h under ambient atmosphere.
Klíčová slova česky
Křemíkové substráty; Chemická příprava; Leptání; Oxidace; Rentgenová fofoelektronová spektroskopie
Klíčová slova anglicky
Silicon substrates; Wet-chemical pre-treatment; Etching; Oxidation; X-ray photoelectron spectroscopy
Rok RIV
2010
Vydáno
15.03.2010
ISSN
0169-4332
Časopis
Applied Surface Science
Ročník
256
Číslo
11
Strany od–do
3423–2426
Počet stran
4
BIBTEX
@article{BUT46912,
author="Miroslav {Kolíbal} and Jan {Čechal} and Miroslav {Bartošík} and Jindřich {Mach} and Tomáš {Šikola},
title="Stability of hydrogen-terminated silicon surface under ambient atmosphere",
journal="Applied Surface Science",
year="2010",
volume="256",
number="11",
month="March",
pages="3423--2426",
issn="0169-4332"
}