Detail publikace

Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study

KOLÍBAL, M. PRŮŠA, S. BÁBOR, P. BARTOŠÍK, M. TOMANEC, O. ŠIKOLA, T.

Anglický název

Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study

Typ

Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus

Jazyk

en

Originální abstrakt

Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study

Vydáno

2004-11-11

Nakladatel

VUT v Brně

Místo

Brno

ISBN

80-7355-024-5

Kniha

New Trend in Physics

Strany od–do

230–

Počet stran

4

BIBTEX


@inproceedings{BUT14279,
  author="Miroslav {Kolíbal} and Stanislav {Průša} and Petr {Bábor} and Miroslav {Bartošík} and Ondřej {Tomanec} and M. {Draxler} and P. {Bauer} and Tomáš {Šikola}",
  title="Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study",
  booktitle="New Trend in Physics",
  year="2004",
  pages="4",
  publisher="VUT v Brně",
  address="Brno",
  isbn="80-7355-024-5"
}